Højeffekt Bias Tee 500 MHz - 6 GHz med 100W Kapacitet
Bias Tees muliggør integrationen af DC-effekt med RF-signalveje, samtidig med at signalintegriteten bevares i krævende mikrobølgeapplikationer. Dette højeffekt Bias Tee opererer fra 500 MHz til 6 GHz med 100W indgangseffekthåndtering, designet til applikationer, hvor robust effektindsprøjtning og lavt RF-tab er kritiske krav. Komponenten leverer exceptionel elektrisk ydeevne over hele frekvensområdet med SMA-female-stik.
Tekniske Specifikationer
- Frekvensområde: 500 MHz til 6 GHz
- Indgangseffekthåndtering: 100W CW maksimum
- Indsætningstab: 0,75 dB maksimum
- VSWR: 1,3:1 maksimum
- DC/RF-isolation: 50 dB minimum
- DC-strømkapacitet: 7A maksimum ved 250V maksimum
- Stiktype: SMA-female
Anvendelsesområder
- 5G/6G & Telekommunikation: Test og prototypeudvikling til næste generations trådløse systemer, der kræver DC-bias i forstærkerkæder
- SATCOM: Jordstationer og mobile satellitterminaler, hvor lavt indsætningstab og høj effekthåndtering er essentielt
- Forsvar & Rumfart: Militære RF-undersystemer, aktive antennearray og phased array-systemer
- Test & Måling: Laboratoriekarakteriseringsbænke og måleopsætninger til LNA- og HPA-komponenter
Kombinationen af bred båndbredde-dækning, høj effektkapacitet og fremragende DC/RF-isolation gør dette Bias Tee velegnet til integrering af aktive komponenter i krævende miljøer. Det lave indsætningstab på 0,75 dB maksimum og stram VSWR sikrer minimal systemydelsesforringelse over hele 500 MHz til 6 GHz-båndet.
Europæisk distributør bq-microwave tilbyder teknisk support til systemdesignere, der kræver tilpassede specifikationer eller detaljeret ydeevnedokumentation. Kontakt vores tekniske team for at drøfte specifikke krav til din RF-applikation.