Wenteq ABP0250-02-5037 Power Amplifier 50–2500 MHz
Wenteq har introduceret ABP0250-02-5037, et tre-trins GaN-transistor-baseret power amplifier modul designet til bredbånds RF- og mikrobølgeapplikationer. Denne kompakte forstærker leverer 5W udgangseffekt over 50–2500 MHz og kombinerer høj gain med robust termisk ydeevne til krævende kommercielle og industrielle systemer.
Modulet udnytter GaN-halvlederarkitektur til at opnå effektiv drift og konsistent forstærkning på tværs af et bredt frekvensspektrum, hvilket gør det velegnet til multi-bånd RF-systemer og testplatforme, der kræver pålidelig signalkonditionering.
Tekniske Specifikationer
- Frekvensområde: 50–2500 MHz
- Udgangseffekt: 5W (+37 dBm)
- Gain: 50 dB
- 1dB Compression Point: 4 dB
- Forsyningsspænding: +28V
- Stiktype: SMA-female
- Halvlederteknologi: GaN transistor
- Trinopbygning: Tre-trins design
Anvendelsesområder
- 5G & Telekommunikation: Testplatforme til næste generations trådløse systemer og multi-bånd infrastruktur
- SATCOM: Jordstations uplink-moduler, der kræver lineær forstærkning
- Forsvar & Rumfart: RF-undersystemer til bredbånds signalkonditionering
- Test & Måling: Laboratorium- og produktionssystemer, der kræver bredbånds dækning og signalintegritet
ABP0250-02-5037 kombinerer betydelig gain med +37 dBm udgangskapacitet og leverer den effekttæthed, der kræves af systemer, hvor linearitet og termisk effektivitet er kritisk. Den GaN-baserede arkitektur sikrer forlænget operationel levetid og reducerede kølekrav i integrerede designs.
bq-microwave, som europæisk distributør af RF- og mmWave-komponenter, tilbyder amplifier-løsninger fra Wenteq og andre producenter på tværs af koaksiale og waveguide-formater. For tekniske specifikationer, tilgængelighed og integrationssupport, kontakt bq-microwave direkte via info@bq-microwave.de.