Wenteq ABP0250-02-5037 Power Amplifier 50–2500 MHz
Wenteq har introducerat ABP0250-02-5037, en tre-stegs GaN-transistor-baserad power amplifier-modul designad för bredbandig RF- och mikrovågsapplikationer. Denna kompakta amplifier levererar 5W uteffekt över 50–2500 MHz och kombinerar hög förstärkning med robust termisk prestanda för krävande kommersiella och industriella system.
Modulen utnyttjar GaN-halvledararkitektur för att uppnå effektiv drift och konsekvent förstärkning över ett brett frekvensspektrum, vilket gör den lämplig för multiband RF-system och testplattformar som kräver tillförlitlig signalkonditionering.
Tekniska specifikationer
- Frekvensområde: 50–2500 MHz
- Uteffekt: 5W (+37 dBm)
- Förstärkning: 50 dB
- 1dB kompressionspunkt: 4 dB
- Matningsspänning: +28V
- Kontakttyp: SMA-hona
- Halvledarteknologi: GaN transistor
- Stegkonfiguration: Tre-stegs design
Applikationsområden
- 5G & Telekommunikation: Testplattformar för nästa generations trådlösa system och multiband-infrastruktur
- SATCOM: Marksationsuplink-moduler som kräver linjär förstärkning
- Försvar & Flyg: RF-delsystem för bredbandig signalkonditionering
- Test & Mätning: Laboratorier och produktionssystem som kräver bredbandstäckning och signalintegritet
ABP0250-02-5037 kombinerar betydande förstärkning med +37 dBm uteffektkapacitet och levererar den effekttäthet som krävs av system där linjäritet och termisk effektivitet är kritisk. Den GaN-baserade arkitekturen säkerställer förlängd operativ livslängd och reducerade kylbehov i integrerade designer.
bq-microwave, som europeisk distributör av RF- och mmWave-komponenter, erbjuder amplifier-lösningar från Wenteq och andra leverantörer inom koaxial- och waveguide-format. För tekniska specifikationer, tillgänglighet och integrationsstöd, kontakta bq-microwave direkt via info@bq-microwave.de.