Wenteq ABP0250-02-5037 Power Amplifier 50–2500 MHz
Wenteq heeft de ABP0250-02-5037 geïntroduceerd, een driefasige Power Amplifier module op basis van GaN-transistoren, ontworpen voor breedbandige RF- en microwave-toepassingen. Deze compacte amplifier levert 5W uitgangsvermogen over 50–2500 MHz en combineert hoge versterking met robuuste thermische prestaties voor veeleisende commerciële en industriële systemen.
De module maakt gebruik van GaN-halfgeleider-architectuur om efficiënte werking en consistente versterking over een breed frequentiespectrum te bereiken, waardoor deze geschikt is voor multiband RF-systemen en testplatforms die betrouwbare signaalconditionering vereisen.
Technische Specificaties
- Frequentiebereik: 50–2500 MHz
- Uitgangsvermogen: 5W (+37 dBm)
- Versterking: 50 dB
- 1dB Compressiepunt: 4 dB
- Voedingsspanning: +28V
- Connectortype: SMA-female
- Halfgeleidertechnologie: GaN transistor
- Trap-configuratie: Driefasig ontwerp
Toepassingsgebieden
- 5G & Telecommunicatie: Testplatforms voor draadloze systemen van de volgende generatie en multiband-infrastructuur
- SATCOM: Grondstation uplink-modules die lineaire versterking vereisen
- Defense & Aerospace: RF-subsystemen voor breedbandige signaalconditionering
- Test & Meetapparatuur: Laboratorium- en productiesystemen die breedbandige dekking en signaalintegriteit vereisen
De ABP0250-02-5037 combineert aanzienlijke versterking met +37 dBm uitgangsvermogen en levert de vermogensdichtheid die vereist is voor systemen waar lineariteit en thermische efficiëntie cruciaal zijn. De GaN-gebaseerde architectuur zorgt voor een verlengde operationele levensduur en verminderde koelvereisten in geïntegreerde ontwerpen.
bq-microwave, als Europese distributeur van RF- en mmWave-componenten, biedt amplifier-oplossingen van Wenteq en andere fabrikanten in coaxiale en waveguide-formaten. Voor technische specificaties, beschikbaarheid en integratieondersteuning kunt u direct contact opnemen met bq-microwave via info@bq-microwave.de.