Wenteq ABP0250-02-5037 Power Amplifier 50–2500 MHz
A Wenteq apresentou o ABP0250-02-5037, um módulo Power Amplifier de três estágios baseado em transístores GaN, concebido para aplicações de RF e micro-ondas de banda larga. Este amplificador compacto fornece 5W de potência de saída na gama de 50–2500 MHz, combinando elevado ganho com desempenho térmico robusto para sistemas comerciais e industriais exigentes.
O módulo utiliza arquitetura de semicondutores GaN para alcançar operação eficiente e amplificação consistente num amplo espectro de frequências, tornando-o adequado para sistemas de RF multi-banda e plataformas de teste que exigem condicionamento de sinal fiável.
Especificações Técnicas
- Gama de Frequências: 50–2500 MHz
- Potência de Saída: 5W (+37 dBm)
- Ganho: 50 dB
- Ponto de Compressão 1dB: 4 dB
- Tensão de Alimentação: +28V
- Tipo de Conector: SMA-fêmea
- Tecnologia de Semicondutores: Transístor GaN
- Configuração de Estágios: Design de três estágios
Áreas de Aplicação
- 5G & Telecomunicações: Plataformas de teste para sistemas sem fios de próxima geração e infraestrutura multi-banda
- SATCOM: Módulos de uplink para estações terrestres que requerem amplificação linear
- Defesa & Aeroespacial: Subsistemas de RF para condicionamento de sinal de banda larga
- Teste & Medição: Sistemas laboratoriais e de produção que requerem cobertura de banda larga e integridade de sinal
O ABP0250-02-5037 combina ganho substancial com capacidade de saída de +37 dBm, fornecendo a densidade de potência exigida por sistemas onde a linearidade e a eficiência térmica são críticas. A arquitetura baseada em GaN garante vida útil operacional prolongada e requisitos de arrefecimento reduzidos em projetos integrados.
bq-microwave, como distribuidor europeu de componentes de RF e mmWave, oferece soluções de amplificadores da Wenteq e outros fabricantes em formatos coaxiais e waveguide. Para especificações técnicas, disponibilidade e suporte de integração, contacte a bq-microwave diretamente através de info@bq-microwave.de.